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3、降本空间大
使用低温工艺(<250℃),避免采用传统的高温(>900℃)扩散工艺获得 p-n 结。三个角度降本,1、节约能源;2、硅片减薄。低温沉积过程中,单晶硅片弯曲变形小,因而其厚度可以采用本底光吸收材料所要求的比较低值(约 80μm,现在 Perc 硅片厚大概是200μm);3、低温过程消除了硅衬底在高温中的性能退化,从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来做衬底。
4、发电增益
Perc 电池存在光致衰减问题,辽宁无边框光伏组件销售,衰减承诺一般为 10 年衰减 10%以内,异质结光致衰减率低,辽宁无边框光伏组件销售,辽宁无边框光伏组件销售、具备正温度特性(高温环境下发电量提高)、双面率高(电池背面效率与正面效率之比),产电增益预估在 10%左右。

以 N 型硅片为基础,有望演化出多条 N 型电池发展方向,光伏电池片制备工艺向半导体升级。从技术路线发展来看,由于 P 型电池片的转换效率提升存在瓶颈,P 型电池片向 N 型电池片转型或势在必行。目前 N 型电池片技术主要包括 N-Pert、TopCon、异质结和 IBC 四大技术方向。光伏发电基于光生伏特原因,机理和半导体接近,随着电池制备技术的升级,光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级。
单晶替代多晶推动光伏完成平价上网进程,从 P 型向 N 型跨越迎来下一次光伏技术革命。从历史来看,得益于单晶硅片取代多晶硅片的大趋势,单晶硅片厂商过去几年的产能和销量增长远高于行业新增装机增长。从当前产能布局来看,单晶产品渗透率或即将达到瓶颈,后续单晶硅片渗透率提升所带来的超额收益或将减少。但是随着N 型硅片技术路线的逐步确认,N 型产品渗透率提升或将带来下一轮新的超额收益。积极布局 N 型硅片,并实现 N 型硅片的降本增效或是当前硅片厂商的当务之急。

继特斯拉概念之后,光伏概念股成为A股上涨行情的“接棒者”。业内人士分析认为,其主要诱因是,在中国制造已占领全球光伏制高点的前提下,2019年12月份的国内并网装机大概率超过预期,可能利好年报业绩;其二,海外需求持续旺盛,业界预测2020年全球新增装机有望增长33%,支撑光伏上市公司走出始于2018年下半年的逆境,实现估值触底反弹。
尽管去年底的相关数据尚未出炉,但智新咨询首席分析师曹宇介绍:“从我们了解的情况来看,去年12月份,国内、二线光伏组件厂商的产能是供不应求的。”
智新咨询提供的行业统计数据显示,2019年1月份-11月份,中国光伏总出货量(组件)达到了59.04GW,与2018年中国光伏组件全年41GW的出口总量(系“双反”后比较高水平,同比增长30%)相比,增长了44%。
此外,根据国金证券的分析,去年12月份几天(受竞价规则的影响),国内光伏电站出现抢装并网高峰,当月并网量或超8GW,使得全年装机规模或达到27GW以上。这将有望提振组件企业2019年第四季度业绩。同时,近期仍有大量进行组件和EPC招标的国内项目,要求3月31日全容量建成并网,反映出企业完成竞价项目的积极性仍然充足,预计2020年季度国内市场有望继续保持旺盛。

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